大家好，来看一则突(tū)发消息。

　窜窜天猴什么意思网络，窜天猴什么意思污天猴什么意思网络，窜天猴什么意思污　美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的(de)结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品(pǐn)网络(luò)安全问(wèn)题(tí)危(wēi)害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存(cún)储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大(dà)和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前(qián)就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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