大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基(jī)础设施(shī)供应链造(zào)成重大(dà)安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行业龙柴进的性格特点和主要事迹概括，武松的性格特点和主要事迹头，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披(pī)露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和(hé)第(dì)三(sān)大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了(le)长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Z柴进的性格特点和主要事迹概括，武松的性格特点和主要事迹nm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会(huì)更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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