大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题危(wēi)害国家关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施(shī)供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高(gāo35c到底有多大，35c是多少)峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 35c到底有多大，35c是多少NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中国(guó)区(qū)销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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