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　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在(zài)华销售(shòu)产品进行了(le)网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在(zài)较(jiào)严重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施(shī)的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设(shè)施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)网络安全法》，1千克水等于多少毫升水，一1升水等于多少毫升网络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙(lóng)采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应(yīng)商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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