冰箱1到5哪个最冷，冰箱1最冷还是5最冷

　　大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售(shòu)的(de)产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yu冰箱1到5哪个最冷，冰箱1最冷还是5最冷ē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等(děng)主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下(xià)冰箱1到5哪个最冷，冰箱1最冷还是5最冷游市场的供应优(yōu)势(shì)，公(gōng)司(sī)也与国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需(xū)求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增(zēng)长。

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