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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国(guó)家(jiā)关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施安全，是维护(hù)国(guó)家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放(fàng)，只要(yào)遵守(sh恩情无以回报是什么意思，感恩之心无以回报是什么意思ǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江(jiāng)波龙(lóng)恩情无以回报是什么意思，感恩之心无以回报是什么意思、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存(cún)储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

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