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　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络安全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是(shì)维(wéi)护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第(dì)二(èr)大和第三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署水密码适合什么年龄，水密码适合什么年龄段的女生使用了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在(zài)下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NA水密码适合什么年龄，水密码适合什么年龄段的女生使用ND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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