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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全(quán)问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng苟以天下之大而从六国破亡之故事是又在六国下矣翻译，苟以天下之大而从六国古今异义)至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公苟以天下之大而从六国破亡之故事是又在六国下矣翻译，苟以天下之大而从六国古今异义司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披(pī)露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积(jī)设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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