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　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前热量怎么换算成卡路里？1kj等于多少卡路里呢，1kj是多少卡路里计算器，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的(de)运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题(tí)危害(hài)国家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等(děng)国(guó)际(jì)存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下(xià)降，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)热量怎么换算成卡路里？1kj等于多少卡路里呢，1kj是多少卡路里计算器，如果美光在(zài)中国区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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