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　　美光公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

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　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维(wéi)护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中生理反应什么叫压枪，生理压枪是什么意思，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西(xī)部数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下(xià)游市(shì)场的(de)供应优(yōu)势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以(yǐ)及(jí)存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长。

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