大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造(zào)成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通(tōng)过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按照(z文章真实身高，文章个人资料简介hào)《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美(měi)光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共文章真实身高，文章个人资料简介和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。文章真实身高，文章个人资料简介存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最(zuì)关键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额(é)提(tí)升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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