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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司(sī)产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)，目(mù)的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片(piàn)行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在(zài)存(cún)储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供(gōng)应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国(guó)区销售受(s中国人去巴基斯坦安全吗hòu)到限(xiàn)制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等(děng)收入(rù中国人去巴基斯坦安全吗)增(zēng)长。

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