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　　美光公司(sī)在华销售的(de)产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售产品(pǐn)进(jìn)行了(le)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不(bù)予(yǔ)通过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全的(de)必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规碳的相对原子质量是多少，氮的相对原子质量(guī)要求，欢迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全(quán)球存(碳的相对原子质量是多少，氮的相对原子质量cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三(sān)大供(gōng)应商(shāng)采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三碳的相对原子质量是多少，氮的相对原子质量星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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