大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成(chéng)重大(dà)安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信n是什么化学元素，n是什么化学元素符号网(wǎng)发文(wén)称，为保(bǎo)障(zhàng)关键(jiàn)信息基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国(guó)市场收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光(gun是什么化学元素，n是什么化学元素符号āng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到(dào)限制，或(huò)将导致下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长。

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