大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查关于团结就是力量的名人素材事例，关于团结的名人素材事例有哪些发(fā)现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全(quán)问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推(tuī)进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台(tái)产品服(fú)务进入中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第(dì)二大和第(dì)三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就(jiù)分析，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称(chēn关于团结就是力量的名人素材事例，关于团结的名人素材事例有哪些g)，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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