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周冬雨高考成绩是多少分,周冬雨高考分数是多少

周冬雨高考成绩是多少分,周冬雨高考分数是多少 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一则突(tū)发消息。

  美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

  据网(wǎng)信办消息,日前,网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审(shěn)查。

  审查发现,美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患,对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险,影响我(wǒ)国国家安全。为此,网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规(guī),我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产(chǎn)品。

  此(cǐ)次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查(chá),目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安全,是(shì)维护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对(duì)外开放,只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法(fǎ)规要求(qiú),欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市(shì)场。

  半导(dǎo)体(tǐ)突发!中国出(chū)手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发(fā)文称,为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全,防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络安全风险,维护(hù)国家安全(quán),依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全法》,网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》,对美光公(gōng)司(sī)(Micron)在(zài)华(huá)销售的(de)产品实施网络安(ān)全审查。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停止采购(gòu)!

  美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头,也是全球(qiú)存储芯片巨头之一,2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力周冬雨高考成绩是多少分,周冬雨高考分数是多少士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM (内存)市(shì)场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中,江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

  美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降,至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿(yì)元,占(zhàn)比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上(shàn周冬雨高考成绩是多少分,周冬雨高考分数是多少g)下游建立国内外(w周冬雨高考成绩是多少分,周冬雨高考分数是多少ài)广泛合作。2022年年报(bào)显示,江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期(qī)合约,确(què)保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性,巩固公(gōng)司(sī)在下游市(shì)场(chǎng)的(de)供应优势,公司也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

  有券商此(cǐ)前就分析,如果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制,或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士,国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

  分析称(chēng),长存、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤,同(tóng)时(shí)刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60:1的深孔,未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽,催(cuī)生(shēng)更多设(shè)备(bèi)需(xū)求。据东京(jīng)电子(zi)披露,薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75%。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单,设(shè)备国产化进(jìn)程加速(sù),看好拓荆科(kē)技(jì)(薄(báo)膜沉积)等相关公司份额提升,以及(jí)存(cún)储业务占比较高的华海清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等(děng)收入(rù)增长。

 

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