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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络(luò)安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类(lèi)平台(tái)产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商(shāng为什么不宣传李兰娟了，李兰娟为何销声匿迹)采(cǎi)购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目为什么不宣传李兰娟了，李兰娟为何销声匿迹前(qián)江波(bō)龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下(xià)游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结(jié)构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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