大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基(jī)础设施(shī)的运(yùn)营者(zhě)应(yīng)停止采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络安全审查(简朴和俭朴的区别是什么，简朴和俭朴的区别在哪chá)办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势(shì)，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(简朴和俭朴的区别是什么，简朴和俭朴的区别在哪guǒ)美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的(de)华海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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