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旖旎是什么意思解释,风光旖旎是什么意思解释 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则突(tū)发消息。

  美光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查

旖旎是什么意思解释,风光旖旎是什么意思解释>  据网信办消息,日前,网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美光公司(sī)在华(huá)销售产品进行(xíng)了(le)网络安全审查(chá)。

  审查发(fā)现,美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患,对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险,影响我国国家安全(quán)。为此(cǐ),网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律法规,我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

  此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进行网络安(ān)全审(shěn)查(chá),目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础设施安全,是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水平对外(wài)开放,只要遵守中(zhōng)国法律法规要求,欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

  半导(dǎo)体突(tū)发!中国(guó)出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安全,防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风(fēng)险,维(wéi)护(hù)国家安全,依据(jù)《中华人(rén)民共和国(guó)国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》,网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》,对美光公司(Micron)在(zài)华销售的(de)产品实施网络安全审查。

  半导体(tǐ)突(tū)发!中国出手:停(tíng)止采购!

  美光(guāng)是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙头,也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一,2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根据市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额约为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上市(shì)公(gōng)司中(zhōng),江波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

  美(měi)光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显著(zhù)下降,至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

  公告显示, 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商,采(cǎi)购约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江(jiāng)波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报(bào)显示,江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē),确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定(dìng)性(xìng),巩固(gù)公(gōng)司在下游市(shì)场的(de)供应优势,公司也与国内国产旖旎是什么意思解释,风光旖旎是什么意思解释(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

  有券商(shāng)此前(qián)就分析,如果美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制(zhì),或将导致下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采购国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士,国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品(pǐn)

  分析称(chēng),长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤,同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽,催生更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露,薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75%。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制名(míng)单,设备国(guó)产化进程加(jiā)速(sù),看好(hǎo)拓荆科技(薄膜沉积)等相关公司份额提升,以(yǐ)及存储业(yè)务占(zhàn)比(bǐ)较高的华(huá)海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等收入增长。

 

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