大家好，来看(kàn)一则(zé)突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网(wǎng)络安全(quán)审菠萝蜜切开没熟怎么补救，菠萝蜜切开没熟怎么补救查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全(quán)问(wèn)题(tí)危害国(guó)家(jiā)关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信(xìn)网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链安全，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，菠萝蜜切开没熟怎么补救，菠萝蜜切开没熟怎么补救江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据(jù)等(děng)主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或(huò菠萝蜜切开没熟怎么补救，菠萝蜜切开没熟怎么补救)从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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