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　　美光(guāng)公司在社日节是什么节日 社日节是农历几月初几华销售的(de)产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设(shè)施安(ān)全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场(chǎng)收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部(bù)数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，社日节是什么节日 社日节是农历几月初几2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设备国产化(huà)进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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