大家好，来看(kàn)一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对(duì)美光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)产品进行了(le)网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作出(chū)不(bù)予通过网络安全审查(chá)的(de)结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光(guāngi)公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题(tí)危害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国(guó)家(jiā)安全(quán)的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过(guò)薄(báo)膜(mó)沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的i(de)深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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