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爬到底是什么结构的字啊,爬是什么结构的字,是先外后内吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一(yī)则突发消息。

  美(měi)光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)

  据网信办消息,日前(qián),网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司(sī)在华销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

  审查发现,美光公(gōng)司(sī)产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患,对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险,影响我国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为此,网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī),我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

  此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查,目(mù)的是防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全,是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对(duì)外开放,只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求,欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障(爬到底是什么结构的字啊,爬是什么结构的字,是先外后内吗zhàng)关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施供(gōng)应链安全(quán),防(fáng)范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险,维护国家安全,依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》,网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办(bàn)法》,对美光公司(Micron)在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

  半导(dǎo)体突(tū)发!中国出手:停止采(cǎi)购(gòu)!

  美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨头之一(yī),2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57%降至(zhì)2022年(nián)约11%。根据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为(wèi) 94.35%爬到底是什么结构的字啊,爬是什么结构的字,是先外后内吗

  A股(gǔ)上市公司中,江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等(děng)国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商。

  美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降,至(zhì)少已经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)爬到底是什么结构的字啊,爬是什么结构的字,是先外后内吗商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额(é)占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示,江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约,确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性,巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下游市(shì)场的供应优势,公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

  有券商(shāng)此前就分析,如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到限制,或将导致下(xià)游客(kè)户转而采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士,国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

  分析(xī)称,长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài),2 维(wéi)到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤,同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽,催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露,薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75%。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单,设(shè)备国(guó)产化进程加速(sù),看好(hǎo)拓荆科技(薄膜沉积)等(děng)相关公(gōng)司份额提升,以及(jí)存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清(qīng)洗)等收入(rù)增长。

 

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