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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法对美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的(de)运营者(zhě)应停止采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国家关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚(jiān)定(dìng)推进(jìn)高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供应链安(ān)全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人边际贡献的计算公式是什么呀r: #ff0000; line-height: 24px;'>边际贡献的计算公式是什么呀民(mín)共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）边际贡献的计算公式是什么呀市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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