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太空浮尸三个人是谁,人死在太空中会腐烂吗

太空浮尸三个人是谁,人死在太空中会腐烂吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一则(zé)突发消(xiāo)息(xī)。

  美光公司在(zài)华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

  据网信(xìn)办消息,日前,网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美光公司在(zài)华销售(shòu)产品进(jìn)行(xíng)了网络安全(quán)审查(chá)。

  审查发现,美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题隐(yǐn)患,对我(wǒ)国关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全风险,影响我国国家安全。为此,网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规,我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

  此次对(duì)美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查,目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全,是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放,只要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求,欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入中国(guó)市场。

  半导体(tǐ)突(tū)发!中国出手:停止(zhǐ)采(cǎi)购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全,防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风险,维护国家(jiā)安全,依据《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络(luò)安(ān)全法》,网(wǎng)络安全(quán)审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在(zài)华销售的产品实(shí)施网络安全(quán)审(shěn)查。

  半导体突发(fā)!中国出(chū)手:停止采(cǎi)购(gòu)!

  美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业龙头,也是全(太空浮尸三个人是谁,人死在太空中会腐烂吗quán)球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一,2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市(shì)公司中(zhōng),江(jiāng)波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

  美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降,至少已经不(bù)是主要大(dà)供应(yīng)商。

  公告(gào)显示, 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商,采购约(yuē)31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三大太空浮尸三个人是谁,人死在太空中会腐烂吗供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示,江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约,确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定性,巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势,公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好的合作。

  有券商此(cǐ)前就(jiù)分析,如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制,或将导致(zhì)下(xià)游客户转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

  分(fēn)析称,长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài),2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60:1的深(shēn)孔,未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽,催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露,薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75%。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国(guó)限制名单,设备国产化进程加(jiā)速(sù),看好拓荆科技(jì)(薄膜沉积)等相关公(gōng)司份额提升(shēng),以及存储业(yè)务占比较高的(de)华海清科(CMP)、盛美上海(太空浮尸三个人是谁,人死在太空中会腐烂吗清洗(xǐ))等(děng)收入增长。

 

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