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　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络嫦娥五号发射时间地点在哪 嫦娥五号还在工作吗(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键信息基础设(shè)施的(de)运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题(tí)危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家(jiā)安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球嫦娥五号发射时间地点在哪 嫦娥五号还在工作吗 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确(què)保存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，嫦娥五号发射时间地点在哪 嫦娥五号还在工作吗2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及(jí)存(cún)储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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