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　　美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)产品(pǐn)进(jìn)行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施(shī)供应链造成重大安(ān)全(quán)风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络安(ān)全(quán)审查的结论(lùn)当年非典为什么神秘结束了。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设施的(de)运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美(měi)光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网络(luò)安(ān)全(quán)问(wèn)题(tí)危(wēi)害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平台(tái)产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国(guó)网络安(ān)全法》，网络安(ān当年非典为什么神秘结束了)全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国(guó)际(jì)存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势(shì)，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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