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　　美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审(shěn)查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国(gu使出吃奶的劲儿，吃奶的劲都使出来了是什么意思ó)家关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披(pī)露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26使出吃奶的劲儿，吃奶的劲都使出来了是什么意思.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的(de)生(shēng)产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单(dān)，设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化进(jìn)程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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