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　　美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络安全(quán)审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各关关难过关关过 事事难熬事事熬下一句是什么，关关难过关关过 事事难熬事事熬是什么诗类平(píng)台产(chǎn)品服(fú)务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风(fēng)险，维(wéi)护国(guó)家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安(ān)全审(shěn)关关难过关关过 事事难熬事事熬下一句是什么，关关难过关关过 事事难熬事事熬是什么诗查办法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全关关难过关关过 事事难熬事事熬下一句是什么，关关难过关关过 事事难熬事事熬是什么诗球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披(pī)露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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