大家好，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美(měi)光公(gōng)司(sī)在(zài)华(huá)销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品(pǐn)进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为此，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内(nèi)关(guān)键信息基础设施的(de)运营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关(guān)键信息太深是一种什么体验，太深是不是不好基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第(dì)一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商采太深是一种什么体验，太深是不是不好购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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