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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法千树万树梨花开的上一句是什么，千树万树梨花开的上一句是什么古诗作出不(bù)予(yǔ)通过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)的(de)结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络(luò)安(ān)全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)危(wēi)害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国(guó)家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美(měi)光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额(é)占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确(q千树万树梨花开的上一句是什么，千树万树梨花开的上一句是什么古诗uè)保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光千树万树梨花开的上一句是什么，千树万树梨花开的上一句是什么古诗在中国(guó)区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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